TLC也會有V-NAND版：850 Evo要來了

三星的V-NAND隨著850 Pro的發布開始正式進入消費級市場，目前的V-NAND是第二代，最大32層堆疊，NAND基礎還是40nm製程的MLC快閃記憶體，剛剛測試得出的P/E次數達到了6000次，可靠性還不錯。但是，以三星的鳥性，TLC快閃記憶體怎麼可能放過V-NAND，三星有計劃把TLC快閃記憶體也做成V-NAND那樣的3D堆疊，或許不久之後我們就能見到850 Evo 固態硬碟了。

在前不久三星的SSD全球會議上，Techreport得知三星有計劃推出3bit V-NAND，只不過三星在透露消息方面一貫很小氣，就是不肯說具體細節，不過TR表示在第二代V-NAND發布會上三星提到了今年底會推出容量密度更高的硬碟，或許指的就是這個TLC版的V- NAND快閃記憶體。具體命名也不確定，不過慣例可能會用850或者850 EVO這樣的名字。

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