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850 Evo硬碟之源,三星量產V-NAND技術的TLC快閃記憶體

自從三星推出V-NAND垂直封裝的MLC快閃記憶體及對應的850 Pro硬碟之後,我們就知道TLC規格的V- NAND快閃記憶體及850 EVO硬碟為期不遠了,現在三星正式宣布開始量產V-NAND技術的TLC快閃記憶體,32層堆棧,128Gb核心容量,產能比現在1xnm製程的平面NAND高1倍。
850 Evo硬碟之源,三星量產V-NAND技術的TLC快閃記憶體

TLC快閃記憶體相比MLC快閃記憶體成本更低,三星顯然也會極力推動TLC規格(忘了說了,三星官方不提TLC這個字眼,而是叫做3bit MLC,至於原因大家都懂)的V-NAND快閃記憶體量產,之前已經確認了,TLC V-NAND快閃記憶體也是第二代技術,32層堆棧,單顆核心容量128Gb,不過三星並沒有透露TLC V-NAND快閃記憶體存的製程水平,如果維持MLC V-NAND的40nm快閃記憶體,那麼850 Evo的P/E壽命還值得一戰。

V-NAND與TLC兩種技術都能提升NAND產能,現在雙管齊下,三星官方表示與目前10nm級別的平面TLC快閃記憶體相比,TLC V-NAND閃存的晶圓常能高1倍。三星現在已經量產TLC V-NAND快閃記憶體,不過850 Evo硬碟何時發布還是未知。

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Amola

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