850 Evo硬碟之源，三星量產V-NAND技術的TLC快閃記憶體

自從三星推出V-NAND垂直封裝的MLC快閃記憶體及對應的850 Pro硬碟之後，我們就知道TLC規格的V- NAND快閃記憶體及850 EVO硬碟為期不遠了，現在三星正式宣布開始量產V-NAND技術的TLC快閃記憶體，32層堆棧，128Gb核心容量，產能比現在1xnm製程的平面NAND高1倍。

TLC快閃記憶體相比MLC快閃記憶體成本更低，三星顯然也會極力推動TLC規格（忘了說了，三星官方不提TLC這個字眼，而是叫做3bit MLC，至於原因大家都懂）的V-NAND快閃記憶體量產，之前已經確認了，TLC V-NAND快閃記憶體也是第二代技術，32層堆棧，單顆核心容量128Gb，不過三星並沒有透露TLC V-NAND快閃記憶體存的製程水平，如果維持MLC V-NAND的40nm快閃記憶體，那麼850 Evo的P/E壽命還值得一戰。

V-NAND與TLC兩種技術都能提升NAND產能，現在雙管齊下，三星官方表示與目前10nm級別的平面TLC快閃記憶體相比，TLC V-NAND閃存的晶圓常能高1倍。三星現在已經量產TLC V-NAND快閃記憶體，不過850 Evo硬碟何時發布還是未知。

消息來源