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比快閃記憶體快7倍,TDK首次演示MRAM儲存器原型

對於下一代儲存技術,人們不僅希望它速度更快,延遲更低,還希望它是是非易失性的,斷電之後資料不會不見。在眾多後續標準中,MRAM(磁阻隨機存取儲存器)是最有希望勝出的,具備了上面提及的兩個優點。在日本的高新技術博覽會上,TDK公司首次展示了STT-MRAM技術製造出來的8Mb儲存器,雖然容量很小,不過讀寫性能已經是閃存的7倍多了。
比快閃記憶體快7倍,TDK首次演示MRAM儲存器原型

比快閃記憶體快7倍,TDK首次演示MRAM儲存器原型

從PCWORLD的報導來看,在展會現場TDK還做了STT MRAM與快閃記憶體的性能對比,左側的是他們研發的STT MRAM平台,右側的是NOR快閃記憶體,MRAM的性能是NOR快閃記憶體的7倍多。

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Amola

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