Intel 3D NAND太誇張：2mm厚度塞下1TB，未來10+TB SSD不是夢

各家快閃記憶體廠商很早就已經開始發力3D NAND垂直快閃記憶體的研發，三星是第一家推出成品並開始量產的，他們稱之為3D V-NAND，用於新旗艦850 Pro SSD上。接下來Intel也正式宣布了他們的產品，並將其添加到明年的產品路線圖中。

這款3D NAND快閃記憶體是Intel高級副總裁、非易失性存儲事業群總經理Robert Crooke在今天的投資者電話會議上發布的。據介紹，這款快閃記憶體產品來自Intel和美光合資創辦的IMFT，將由其位於猶他州的工廠生產。

規格方面，Intel可以說是雄心壯志，首先每die容量翻倍，達到256Gb，堆疊數量最多達到32層，也就是1TB容量，如果改用TLC（3-bit per cell）的話，則可以做到每die 384Gb。Intel宣稱他們未來可以做到2mm堆疊厚度塞下1TB的容量，未來兩年更是可以做出10+TB的SSD。

更重要的是，3D NAND還有一個重要特性，就是（每單位容量）成本將會比現有技術更低，而且因為無需再通過升級製程、縮小cell單元以增加容量密度，可靠性和性能會更好，可以看到離SSD普及又更進一步了。

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