GDDR5X顯存技術規範出爐，或將成為A/N卡中端市場發力點
去年10月，鎂光（Micron）對外稱將要在未來一段時間內給市場帶來一種經過改進後的GDDR5顯存——GDDR5X。不過其並沒有透露更多的細節，而且當時連鎂光自己都並不確定這項技術是否具有可行性。
鎂光此前預計在2016年年底開始量產GDDR5X顯存，而能否成功投入商用就得看AMD、NVIDIA是否採用了。不過日前，JEDEC已正式認可並公佈了GDDR5X的顯存技術規範，這能夠顯著增加該技術的吸引力。
GDDR5X vs. GDDR5
HBM顯存已經成為新一代高端顯卡的標準之一，而且此前JEDEC也正式公佈了JESD235A的技術規範標準，帶來了TB/s級帶寬、16/32GB超大容量的HBM2顯存。不過HBM的問題在於顯存成本依然很高，不可能短時間內應用在全部顯卡上。
而另一方面，雖然全新的GDDR6早已開始投入研發，但是因為技術、市場各方面的原因，也無法在短時間內投入商用。
GDDR5X則可以簡單理解為在GDDR5技術基礎上的一個拓展，畢竟GDDR5已經在顯卡上用了將近七年，技術已經相對成熟。如果能夠像HBM那樣大幅提高顯存帶寬的話，理論上性能也能夠得到進一步提升。
於是，GDDR5X選擇採用雙管齊下的方式來提升顯存帶寬。首先，它的總線從DDR(雙倍數據倍率)升級到了QDR (四倍數據倍率)。
同時，GDDR5X還簡單粗暴的將數據預取位寬從8-Bit提升到了16-Bit，從而得到更高的帶寬，初期即可達到10-12Gbps，而隨著進一步的研發最高能夠提升到16Gbps。相比之下，GDDR5現在最高也才7Gbps。
傳輸速率的提升再加上顯存位寬的提升，相當於在提高車速的基礎上又拓寬了車道數量。
外媒MonitorInsider從GDDR5X的技術標準層面上剖析了它與GDDR5的不同之處，他們在文中提到，使用GDDR5X顯存技術時可能無法完美適配Nvidia的GPU。
因為16-Bit數據預取位寬意味著每次預取都將包含有64字節的數據，而Nvidia的GPU所使用的是32-Bit標準，所以每當N卡訪問L2高速緩存時，DRAM都將獲取到兩倍之於L2高速緩存中的數據量。
不過為了保持與GDDR5的兼容性，方便廠商升級，GDDR5X顯存引入了一項名為“偽獨立存儲器訪問”（Pseudo independent Memory Accesses）的新技術，這應該能夠幫助解決這一問題。
GDDR5X並沒有解決GDDR5的核心缺陷
既然JEDEC已經正式公佈了GDDR5X的技術標準，那麼AMD和Nvidia很有可能在未來應用這項技術。鑑於HBM和HBM2在量產上的技術難度，以及有別於平面結構的3D TSV立體矽穿孔技術，導致業內很多人士都認為實際上GDDR5X是更佳的長期選擇。
平心而論，RDRAM、Larrabee和安騰處理器都過於超前了，因為目前來說這些技術仍不成熟，相對而言成本過於昂貴。而事實也證明，這些超前的新技術分別被改進多次之後的DDR內存、光柵和AMD的x86-64所替代。
但為什麼HBM卻得到了一個不同的結局呢？
原因就在於，HBM和HBM2的改進不僅僅停留在提高內存帶寬上。這兩個技術標準都不僅大幅削減了VRAM功耗還顯著提高了顯存性能。此外，HBM2所提供的VRAM密度是GDDR5X所無法比擬的。
舉個例子，就在1月19日，三星宣布基於HBM2技術的業內首個4GB DRAM顯存顆粒已經開始批量生產，4GB HBM2封裝下面是緩衝芯片，上面是4個8GB（1GB）容量的HBM2 DRAM芯片。
不僅如此，三星還計劃今年推出8GB HBM2，容量在此基礎上再翻一倍，一顆就能滿足高端顯卡的需求，從而比GDDR5節省95％的電路板空間。
而反觀當下的鎂光生產的GDDR5顯存最高也只能達到單芯片1GB。即使假設鎂光能夠在未來將其提升到2GB，也仍需16顆芯片才能追上三星，而且這16個芯片都需要各自獨立的尋跡路由，物理上的面積需求也是一個大問題。雖然GDDR5X能夠把信號電壓降低到1.35v，但這仍不足以抵消芯片數量的增加所帶來的整體功耗提升。
這張圖片顯示出在平面結構上無限疊加RAM所帶來的問題：GDDR5X下單個32GB的GPU需要更多的芯片
發力中端市場，解燃眉之急
不過，至少在最近的一段時間內，我們或許能夠看到一到兩家供應商開始使用GDDR5X技術。這在短期內能夠使AMD和Nvidia在GPU帶寬VRAM緩衝大小上獲得實質性的提升。
雖然HBM2 、GDDR5X和GDDR5到底誰主沉浮仍不明朗，但沒有哪家公司會想要放棄GDDR5X帶來的競爭優勢。畢竟，搭載GDDR5X顯存能夠使得Nvidia或AMD在中端顯卡上的帶寬問題得到有效緩解。
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