1nm以下關鍵技術 Intel研發2D晶片製程

由於半導體製程越來越複雜，摩爾定律10多年來一直被認為放緩甚至失效。10nm製程以下製造難度加大，未來10年還要進入1nm製程以下節點，迫切需要更先進的技術。

於此領域，Intel率先在22nm製程進入FinFET電晶體時代，於20A、18A製程上則使用了RibbonFET、PowerVia兩項新技術，再之後又需要改變電晶體結構了，Intel的目標是全新的2D TMD材料。

其中的2D指的是單層原子組成的結晶體，TMD則是過渡金屬二硫化物的簡稱，具體包括：二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）、二硒化鎢（WSe2）等材料，這些新材料可實現小於1nm的溝槽厚度，同時具有更好的能隙和遷移率，亦即高效能、低功耗優勢。

製備2D TMD材料並不容易，為此，Intel日前宣布與歐洲CEA-Leti達成合作協議，開發300mm晶圓上的2D TMD層轉移技術，後者為此方面的專家，可提供專業的鍵合及層轉移技術支援，利於Intel製造出最終的矽基晶片。

此過程可能需要很多年，Intel的目標是2030年之後繼續擴展摩爾定律，亦即進一步提升電晶體密度，提升效能，降低成本功耗等。

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