Intel美光公佈更多3D NAND資料：壽命初定3000P/E，目標10+TB

三星早就已經推出了採用3D NAND(V-NAND）的SSD，東芝和SanDisk的48層3D NAND快閃記憶體也在昨天開始向合作夥伴提供樣品，Intel和美光算是後來居上，去年11月才公佈了他們的產品，近日他們公開了更多資料，我們可以看看他們的新快閃記憶體與競爭對手有什麼不同之處。

之前我們已經知道，Intel和美光首先會推出32層256Gb/32GB MLC版本，改成TLC的話容量更是可以進一步達到384Gb/48GB，2mm厚度就能塞下1TB的容量了，而終極目標是推出10 +TB的SSD。根據AnandTech分享的資料，為了提高容量密度，他們的這款3D NAND每die內部將會使用4-plane的設計，雖然會帶來額外的延時，但同時也提供了比目前常見的2-plane設計高1倍的讀寫吞吐量。

Intel和美光表示，他們的3D NAND的電荷儲存量和當年50nm節點產品相當，甚至稍微還要多些，是目前16nm節點的10倍，性能和可靠性都得到了保證。至於耐用性方面，美光錶示他們初期會將壽命定為3000次刷寫週期，大家可能覺得奇怪了，這不是跟目前的MLC差不多麼，人家三星V-NAND都高達35000次了。美光的說法是其實他們的消費級都定在3000次，足夠普通用戶日常使用了，但這不代表是他們偷工減料，他們對自己的產品有信心。往後他們應該還會繼續改進設計，提高到10000+次也是有可能的（尤其是企業級）。

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