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SK hynix
利潤最佳化! 三星和SK海力士可能減產 NAND 快閃記憶體,產能轉戰高收益 DRAM
先前報導指出,在 NAND 快閃記憶體需求激增的趨勢下,三星(Samsung)、SK 海力士(SK
SK海力士 或繼續使用 MR-MUF 工藝 16 層堆疊 HBM4, 暫不啟用 TC NCF 技術
去年,SK 海力士推出以 AI 為導向的超高性能 DRAM 新產品 12 層 HBM4,並在全球範
CES 2026:SK海力士 首次亮相 16 層 48GB HBM4,與展示 SOCAMM2、LPDDR6 全面佈局 AI 市場
每年必看的 美國 CES 2026 消費電子大展上,SK 海力士 (SK hynix ) 特別設置
NAND快閃記憶體製造商2025H2集體減產, 將導致價格進一步上漲
先前有報導稱,閃迪已經將11月的NAND快閃合約價格提高了50%,在人工智慧(AI)資料中心的持續需
SK 海力士宣布推出全球首款 48GB 16-Hi HBM3E 記憶體 – 下一代 PCIe 6.0 SSD 和 UFS 5.0 儲存也在研發中
在 2024 年 SK AI 高峰會上,SK 海力士執行長登台展示了業界首款 16-Hi HBM3E