IBM展示全球首款2nm晶片，未來英特爾和三星或會受益！

IBM宣布製造出全球首款2nm工藝節點的晶圓，並在紐約州奧爾巴尼的工廠展示了2nm工藝生產的完整300mm晶圓，不過這並不意味著2nm工藝已實現批量生產。 無論如何，這也是半導體設計和製造上的一個突破，在性能和能效上有質的飛躍。 IBM認為，2nm晶圓的潛在優勢，包括提高手機電池使用壽命、減少數據中心碳排放量、讓筆記型電腦擁有更多更快的功能、以及有助於提高自動駕駛汽車晶片的性能等。

據IBM介紹，該技術可以將”500億個晶體管放在指甲大小的晶圓上”，其2nm晶圓的晶體管密度（MTr/mm2）為333.33，幾乎是台積電5nm工藝的兩倍，也高於業界對台積電3nm工藝的預估（292.21 MTr/mm2）。 與目前的7nm工藝相比，在同樣的功耗下，其性能會高出45%，或者在同樣性能下，功耗會降低75%。 同時IBM的2nm工藝還採用了採用的是GAA（全環繞柵極晶體管）工藝，三星未來3nm工藝也將採用此技術。

雖然現在IBM在2014年將晶圓廠賣給GlobalFoundries後，已沒有了屬於自己的晶圓廠，但是仍然在半導體創新方面處於領導地位。 在半導體領域，IBM的突破還包括了首次實現7nm和5nm工藝技術、銅互連佈線、高k柵極介質、多核微處理器、嵌入式DRAM、3D晶元堆疊和登納德縮放比例定律等。 此前英特爾在IDM 2.0戰略中已宣布，未來將會與IBM在邏輯和封裝技術方面進行合作。

IBM計劃今年在其Power Systems伺服器中使用其首款商用7nm工藝處理器IBM Power 10，支援PCIe Gen5和DDR5記憶體，使用了與三星合作研發的工藝，將由三星負責製造。

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