14A 1.4nm製程至關重要 Intel希冀2025年後穩定領先

近幾年，Intel以空前的力道推進先進製程，希望以最快的速度超車台積電，重奪領先地位。現在，又重申了此一目標，尤其是欲透過未來的14A 1.4nm製程重新站上領先地位。

目前，Intel正在按計畫實現其”四年五製程”的目標，Intel 7製程、採用EUV極紫外光微影技術的Intel 4、Intel 3製程均已達成大規模量產。

其中，Intel 3製程作為升級版，應用於伺服器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將於今年陸續發表，前者首次採用純E-Core設計，最高288個。

Intel 20A、Intel 18A兩個製程正在順利推進中，分別相當於2nm、1.8nm製程，將繼續採用EUV技術，並應用RibbonFET帶式場效電晶體與PowerVia背部供電技術。憑藉此二項，Intel希望能於2025年重奪製程領先地位。

之後，Intel將繼續採用創新技術，推動未來製程的開發與製造，以鞏固領先位置。

其中一個關鍵點即是High NA EUV微影技術，而數值孔徑（NA）正是衡量收集與集中光能力的指標。透過升級將光罩上的電路圖形反射至矽晶圓上的光學系統，High NA EUV微影技術能夠大幅提高解析度，進而有助於電晶體的進一步微縮。

作為Intel 18A之後的下一個先進製程，Intel 14A製程就將採用High NA EUV微影技術。

為了製造出特徵尺寸更小的電晶體，於整合High NA EUV微影技術的同時，Intel亦在同步開發新的電晶體結構，並改善製程步驟，如透過PowerVia背部供電技術減少步驟、簡化流程。

此外，Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A製程的數個演進版本，以協助客戶開發及交付符合其特定需求的產品。

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