英特爾官網更新Intel 18A製程資訊 已準備好為客戶專案服務

最近英特爾在 ISSCC 2025 上，介紹了 Intel 18A 製程技術，其中強調了 SRAM 密度的重大改進。 按照英特爾的說法，SRAM 位單元尺寸將從 Intel 3 的 0.03μm² 縮小到 Intel 18A 的 0.023μm²，HDC 也顯示出類似的改進，縮小到 0.021μm²。 相比之下，台積電（TSMC）N5、N3B 和 N2 製程的 SRAM 位單元大小分別為 0.021μm²、0.0199μm² 和 0.0175μm²。

而近期英特爾在官網更新了 Intel 18A 製程資訊，併發佈了一條消息：“Intel 18A 現已經為客戶專案做好準備，將於 2025 年上半年開始流片，如果想要瞭解更多資訊，請聯繫我們。 ”

在英特爾看來，Intel 18A 製程將是其先進半導體工藝研發的轉捩點。 除了 SRAM 密度可以趕上台積電，每瓦性能提高 15%，晶元密度比 Xeon 6 系列處理器採用的 Intel 3 製程提高了 30%。 同時英特爾結合了 GAA 晶體管架構，另外還引入了 PowerVia 背部供電技術，這是英特爾解決處理器邏輯區域電壓下降和干擾的首選方法。

目前已知英特爾在 Intel 18A 製程的主要產品有 Panther Lake（AI PC用戶端處理器）和 Clearwater Forest（伺服器處理器），外部代工客戶有亞馬遜 AWS 和微軟 Azure，英特爾將為客戶製造內部定製晶片。 此外，博通正在探索基於 Intel 18A 製程的設計。

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