Intel：摩爾定律不會過時，全球首發10奈米技術
摩爾定律失效了嗎？這是最近幾年被反復提及的一個問題。自從 1965 年提出到現在，摩爾定律一直在沿著半導體製造技術不斷增強的方向前進，但是到了 10 奈米時代，業界有不少聲音認為摩爾定律已經逼近相應的物理極限，並將因此而失去效用。然而，在舉行於 9 月 19 日的“英特爾精尖製造日”上，這家半導體行業的領軍者針對以上問題給出了自己的答案。
Intel：摩爾定律不會過時
會上，Intel 執行副總裁兼製造、營運和銷售集團總裁 Stacy Smith 對摩爾定律的意義進行了強調。他表示，按照摩爾本人的觀察，晶片上的電晶體數量每隔 24 個月將增加一倍；也就是說，在半導體行業產品的性能每兩年翻一倍，每個電晶體成本也隨值下降。但是 Intel 認為，摩爾定律其實反映的是這樣一個經濟學原理：
按照特定節奏推動半導體製造能力的進步，我們就可以降低任何依賴於計算的商業模式的成本。
Smith 表示，目前業界經常用 16 奈米、14 奈米、10 奈米等製程節點數字來衡量半導體行業的工藝發展，這些數字的確曾經有它真實的物理意義，但現在卻並非如此。實際上，Smith 給出了另外一個衡量性能的指標：電晶體密度。
因此，為了提升電晶體密度，在推動製造技術推進的同時，Intel 在 14 奈米制程中採用了鰭式場效應電晶體（FinFET）和超微縮技術（Hyper Sacling），其中超微縮技術能夠讓 14 奈米和 10 奈米上的晶片面積縮小了 0.5 倍以上。
針對市場上競爭對手用 14奈米、10奈米等製程節點數字來凸顯優勢的現象，Smith 也表示不屑。他表示，雖然數位變了，但在 FinFET 的技術上競爭對手產品的電晶體密度並沒有提升；實際上，三星、台積電友商 10 奈米製程技術的電晶體密度只相當於 Intel 14 奈米製程的電晶體密度，並且前者推出的時間還比 Intel 晚了三年。
而在 14 奈米製程之外，Intel 的 10 奈米技術也將量產，並且也用上了超微縮技術。Smith 還表示，實際上 Intel 一般要求自己前瞻三代製程，目前已經在探索 7 奈米和 5 奈米製程。
Smith 最後強調稱，摩爾定律在任何可預見的未來都不會終結。
10 奈米晶圓全球首發，即將量產
在本次“英特爾精尖製造日”上，Intel 面向全世界首次展示了 10 奈米 Cannon Lake 晶圓。Intel 高級院士兼技術與製造事業部製程架構與集成總監 Mark Bohr 上臺對摩爾定律和 10 奈米晶圓進行了補充介紹。
Bohr 首先提出了一個更加量化的、用來計算電晶體密度的公式：
這個公式用到了兩個邏輯概念，一個是 NAND 單元，一個是掃描觸發器邏輯單元。用 NAND2 電晶體數量除以 NAND2 單元面積，即 NAND 密度；用掃描觸發器電晶體數量除以掃描觸發器單元面積，得出其密度；前者乘以 0.6 係數，後者乘以 0.4 係數，相加之後即電晶體每平方毫米的數量，也就是電晶體密度。
Bohr 表示，如果用這種方法計算，10 奈米在電晶體密度上的提升是非常明顯的，為自家 14 奈米技術的 2.7 倍，大約是業界其他家“10 奈米”工藝的 2 倍。而這一提升，就得益於 Intel 的超微縮技術。實際上，Intel 10 奈米製程的最小柵極間距從 70 奈米縮小至 54 奈米，且最小金屬間距從 52 奈米縮小至 36 奈米，尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米 1.008億 個電晶體。
相比之前的 14 奈米製程，英特爾 10 奈米製程提升高達 25% 的性能和降低 45% 的功耗。增強版的 10 奈米製程可將性能再提升 15% 或將功耗再降低 30%。
Bohr 也表示，摩爾定律的目標是提供電晶體的密度，並通過每一代的代際提升來降低成本，從而降低每一個電晶體的平均成本。而從 Intel 10 奈米晶片技術的出現，也恰好說明了摩爾定律沒有過時，一直在向前發展。
其實，Intel 還有晶圓代工業務
除了對前沿晶片技術進行不斷探索，Intel 其實也在數年前推出了自己的晶圓代工業務，目前也已經進軍中國市場；而在此次“英特爾精尖製造日”上，負責晶圓代工業務的 Intel 技術與製造事業部副總裁 Zane Ball也對晶圓代工業務進行了介紹。
Ball 表示，Intel 的晶圓代工的優勢在於技術。這首先表示在 FinFET 技術，目前 Intel 已經出產了 700 萬片採用這一技術的晶圓；其次是 22 奈米、14 奈米、10 奈米和 22FFL 等製程技術。
其中 Ball 對 Intel 的 22FFL （22 奈米 FinFET 低功耗）技術進行了重點強調。據雷鋒網瞭解，22FFL 是在 2017 年 3 月美國“英特爾精尖製造日”活動上首次宣佈的一種面向移動應用的超低功耗 FinFET 技術，其技術基礎是 Intel 的 22 奈米/14 奈米的製造經驗。
與先前的 22GP（通用）相比，22FFL 技術的漏電量最多可以減少 100 倍，可以提供主流技術中漏電量最低的電晶體。它還可以達到 Intel 14 奈米電晶體相同的驅動電流，實現比業界 28 奈米/22 奈米平面技術更高的面積微縮。
22FFL 在技術上的另一個特點是高集成度；它包含一個完整的射頻（RF）套件。借由廣泛採用單一圖案成形及簡化的設計法則，使 22FFL 成為價格合理、易於使用可面向多種產品的設計平臺，與業界的 28 奈米的平面工藝 (Planar) 相比在成本上極具競爭力。
相對而言，22FFL 新技術適用於低功耗的物聯網和移動產品，它將性能、功耗、密度和易於設計的特性結合起來。Intel 副總裁 Stacy Smith 也針對 22FFL 表示：
我們認為這是業界最簡單易用的 FinFET工藝，服務大眾的 FinFET。
基於以上技術優勢，Intel 的晶圓代工業務主要分為兩個市場：一個是網路基礎設施，比如說網路處理器、FPGA;另外一個是移動和聯網設備，尤其是入門級的智慧手機處理器和物聯網設備。
作為晶圓代工業務的一個案例，Intel 與 ARM 進行了合作，將 ARM Cortex A75 放到 Intel 標準的晶圓代工流程當中。整個過程由 ARM 提供 IP，用了 14 周時間就完成了首個流片。這個流程採用了 Intel 的 10 奈米晶圓代工技術，檢測頻率至少可以超過 3.3 GHz；而且從展示的資料看，顯得非常穩定。
在現場，Intel 還與 ARM 合作展示了全球首款採用 Intel 10 奈米製程的 ARM Cortex-A75 CPU 內核測試晶片。
老虎不說話，你當我是病貓呀
過去 Intel 給人的印象是主攻技術，非常低調；但此番 Intel 專門設置了一個所謂的“精尖製造日”來宣傳自己的新技術，並且正面對上了三星、台積電等競爭對手。對此，Intel 中國區總裁楊旭的回應是“老虎不說話，你當我是病貓呀”。
不過，實際上，本次“精尖製造日”的宣傳重點其實是 Intel 的晶圓代工業務，尤其是針對中國市場。不過雷鋒網認為，Intel 之所以如此高調，實際上還是看到了中國半導體行業蓬勃發展的狀況。在 58.5% 的全球半導體消費都發生在中國的情況下，Intel 自然也希望通過晶圓代工業務從中分一杯羹。不過從眼下來看，晶圓代工業務只是 Intel 整體業務很小的一部分。
至於“摩爾定律是否失效”這個問題，Intel 也罕見地拿出了高調的姿態為之正名，並試圖通過 10 奈米製程技術和其他的一些前沿技術來說明它的長期有效性。
在雷鋒網看來，至少目前說“摩爾定律已經過時”還為時過早，我們也期待在半導體行業在各種前沿新技術的推進下繼續向前發展。
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