亦敵亦友各自努力，Intel與Micron更新快閃記憶體合作計畫

Intel 與 Micron 在快閃記憶體領域，共同成立 IM Flash 品牌合作開發、生產產品，日前甫發布聯合開發合作夥伴關係更新消息。內容指出雙方同意繼續第三代 3D NAND 技術開發，預計在年底至 2019 年初完成，但是雙方也將各自獨立開發 3D NAND，以利於最佳化產品、滿足客戶的需求。

雙方目前也致力於第二代 3D NAND（64-Layer）生產，所謂第三代 3D NAND 無非是朝向 96-Layer 邁進，Samsung 與 Toshiba 等廠商的開發進度是超前些。雖然以後各自有新的努力方向，但是並不會影響既有合作關係，除了第三代 3D NAND 包含 3D XPoint 等，雙方都會持續合作技術開發、生產製造。

這或許意味，固態硬碟製造商在未來的採購選擇性會更多元，除了基於 IM Flash 框架產出的快閃記憶體，也能採購到 Intel 或 Micron 各自最佳化產品。