劃時代的新突破，Intel 與 Micron 共同宣佈 3D XPoint 技術

全新的記憶體技術將開始進入量產，這技術會比現有的 NAND Flash 快上 1000 倍。

Intel 與 Micron 共同宣佈，全新的 3D XPoint 技術是至今一個相當重要的突破，同時也是 1989 年 NAND Flash 推出以來，這個儲存產業一個全新的類別。

3D XPoint 經歷了十多年的研發，開啟全新類別的非揮發性記憶體（NVM），它除了比現有的 NAND Flash 要快上 1,000 倍外，同時在耐用度部分也增加了 1,000 倍；另一方面，也因為堆疊式設計，在密度方面也比傳統記憶體高出 10 倍。

3D XPoint 技術的細節：

– 交叉式陣列結構：垂直導體連結 1280 億個高密度配置的記憶體儲存單元。每個儲存單元存放一個位元的資料。如此緊湊的結構，造就出高效能與高密度的位元儲存空間。
– 可堆疊：除了緊湊的交叉陣列結構外，記憶體儲存單元還會堆疊成好幾層。初期的技術每個晶粒能儲存 128Gb，並有堆疊成兩層的記憶體元件；未來世代的技術將提高記憶體元件層的數量，再加上傳統顯影電路的微縮化，將能進一步提升系統容量。
– 選擇器（Selector）：系統會藉由改變傳送到每個選擇器的電壓，對記憶體儲存單元進行存取與讀寫資料的動作。這樣的設計省略掉對電晶體的需求，能提高容量並降低成本。
– 快速切換儲存單元：微型化的儲存單元，加上快速切換的選擇器、低延遲交叉結構陣列、以及快速寫入演算法，讓儲存單元能更快切換運作狀態，速度超越現今各種非揮發性記憶體技術。

擁有此技術的情況下，過去常發生的延緩情況將逐漸獲得改善。

這樣說起來，NAND Flash 看起來會成為過時的產物，但實際上不能如此做區別。NAND Flash 的 SSD 與傳統磁片組成的硬碟仍舊會有自己的市場定位與價值，畢竟 3D XPoint 在剛推出市場時，其價格並非一般人能夠接受。同時，從整體規劃來看，企業級市場絕對會率先見到 3D XPoint 技術的產品導入。

3D XPoint 技術也會提升終端使用者對 PC 的體驗，但要導入這塊市場，必須等待其甜蜜點到來。

RAM 是否會被 3D XPoint 取代，短時間來看不太可能，畢竟大部分情況下，RAM 的速度會比它要快許多。

Intel 與 Micron 的共同新聞稿中提到，3D XPoint 極速好將會在今年稍後開始送樣，而我們也許可以期待產品在 2016 年開始在市場見到。