嗑新聞電腦 、筆電、網通、周邊

三星宣布32層堆棧的TLC V-NAND快閃記憶體,850 Evo真的不遠了

三星之前發布的850 Pro 固態硬碟,首次使用了3D堆棧的V- NAND快閃記憶體,還是MLC規格的,但是三星欲說還休地透露了會存在TLC規格的V-NAND快閃記憶體。在剛剛開幕的PCM國際快閃記憶體會議上,三星正式宣布了3bit V-NAND快閃記憶體,也就是TLC V-NAND快閃記憶體,也是32層堆疊,這意味著840 Evo的繼任者850 Evo真的不遠了。
三星宣布32層堆棧的TLC V-NAND快閃記憶體,850 Evo真的不遠了

PCper網站證實了三星發布全球首款32層堆棧的TLC V-NAND快閃記憶體,其原理其實跟MLC V-NAND是一樣的,主要就是每cell單元儲存2bit還是3bit數據的差別,而V-NAND技術部分是差不多的。根據三星所述,TLC V-NAND快閃記憶體相比傳統的平面快閃記憶體的密度提升了1倍。

消息來源

延伸影片閱讀:  
Previous post

壽命暴增3倍,Silicom Motion推出專為TLC優化的SM2256控制器

Next post

SF3700為PCI-E優化:混合負載下性能秒殺Samsung、Plextor

The Author

XFastest

XFastest