Western Digital推出BiCS53D NAND技術，持續保持領先優勢

透過技術與製造的升級，創造3D NAND儲存容量提升的新途徑

台北，2020年02月24日—Western Digital今日宣布成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5，持續提供業界最先進的快閃記憶體技術，維持其領導地位。BiCS5採用三層單元（TLC）與四層單元（QLC）兩種架構，能以極具吸引力的成本提供卓越的容量、效能與穩定性，滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。

Western Digital已開始生產512Gb的BiCS5TLC，並預計在2020年下半年就能開始商業化量產，供應採用新技術的消費性產品。未來，BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。

Western Digital記憶體技術與製造部門資深副總裁StevePaak博士表示：「隨著下一個十年的到來，如何增加3D NAND容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵。藉由成功開發BiCS5，Western Digital展現了領先業界的快閃記憶體技術，及強大的計畫執行力。我們利用更先進的多層儲存通孔（multi-tier memory hole）技術來增加橫向儲存密度，同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升，以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。」

採用多種新技術與創新製造工藝的BiCS5是WesternDigital目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升了晶圓的橫向儲存單元陣列密度。此外，BiCS5擁有112層垂直堆疊的儲存容量，使每晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40% *，可達到最佳成本。新架構設計也為BiCS5挹注更高效能，使其I/O效能較BiCS4提高50%。**

BiCS5是由Western Digital與技術製造合作夥伴Kioxia共同開發，將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。

BiCS5是以Western Digital完整的3D NAND技術為基礎而開發的技術；這些技術已廣泛應用於以資料為中心的個人電子裝置、智慧型手機、物連網裝置與資料中心。

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*根據Western DigitalBiCS4與BiCS5 TLC的最低可用與預期可用晶粒容量的比較結果（256Gb與512G晶粒）

**根據Western Digital內部針對特定應用在切換模式下的I/O效能測試結果

***1Tb＝1,000,000,000,000 位元組。

前瞻性陳述
本新聞稿包含部分前瞻性陳述，包括與3D NAND技術相關的各種預測，例如開發狀況、初次產出時機、商業量產、產品打樣與出貨、功能、效能提升、應用、產能，Western Digital在NAND快閃領域的地位與技術發展計畫的執行力，以及該公司在日本合資工廠的運作。這些前瞻性陳述涉及風險和不確定因素，可能導致這些前瞻性陳述有差異，其中包括：標準機構對於規格的更動、全球經濟情勢波動、儲存生態系統的業務狀況與成長、競爭產品與定價的影響、市場接受度，以及商品原料和特殊產品零組件的成本、競爭對手的行動、具競爭關係之技術出現意外進展、我們根據新技術所開發與推出的產品，以及在資料儲存新市場的擴張行動、併購、資產剝離與合資相關風險、製造過程出現困難或延遲，以及公司呈交給美國證管會文件中所列其他風險及不確定因素，這些文件包括我們最近呈交的定期報告，提醒您特別留意。請勿過度仰賴上述前瞻性陳述，因內容僅代表發文時狀況，且本公司不承擔更新上述前瞻性陳述之義務，以反映後續事件與狀況。