台積電2nm、Intel 18A製程首次比較

半導體研究機構TechInsights、SemiWiki公布了台積電N2 2nm、Intel 18A 1.8nm兩大尖端製程的諸多細節，並進行了正面對比，發現各有優勢。

需言明在先的是，因為目前官方資料尚不全，且不同廠商的製程各有特色，很難直接比較優劣，所以本文僅供參考，實際表現取決於具體產品。

Intel 18A官方宣稱進展順利，將於今（2025）年下半年投入量產，首款產品代號Panther Lake，主打筆電行動市場。

台積電N2亦將於今年下半年大規模量產，首個客戶仍是蘋果，AMD Zen 6處理器預期亦會採用。

根據研究，台積電N2的高密度標準單元（HD standard-cell）電晶體密度為每平方公厘3.13億個，超過Intel 18A每平方公厘2.38億個、三星SF2（原名SF3P）每平方公厘2.31億個。

這裡說的僅是依照標準單元電晶體的統計，但於實際應用中，不同製程有自身的特殊設計，例如台積電的FinFlex、NanoFlex，不同產品更會使用不同的電晶體單元，包括：高密度（HD）、高效能（HP）、低功耗（LP）。

效能部分，TechInsights指出，Intel 18A相較台積電N2、三星SF2皆有優勢，但這個亦取決於特定產品。

TechInsights的計算方法亦存有疑義，因為其是以台積電N16FF 16nm、三星14nm作為基準，按照各自宣稱的提升幅度計算而來的，肯定存在偏差。

另外，Intel 18A導入了PowerVia背部供電技術，可以大幅提升電晶體密度與效能，台積電N2是沒有的。

功耗方面，TechInsights分析認為，台積電N2相較三星SF2更省電，而能效亦為台積電向來的優勢。至於Intel方面，仍需要觀察，相信不會太差。

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