中國長鑫存儲正式推出自家 DDR4 記憶體顆粒晶片與模組

中國一直為了芯片國產化的政策而努力，尤其是在受到美國針對華為祭出禁令後，這樣的政策可以說是更加受重視。

近期位於合肥的長鑫存儲宣布已經研發出自家的 DDR4、LPDDR4X 記憶體顆粒與模組產品，採用 10 奈米製程。

DDR4 的規格方面單顆容量 8Gb (1GB)，頻率 2666MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 至 95℃，78ball、96ball FBGA 兩種封裝樣式。

LPDDR4X 的規格方面則是單顆容量為 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃ 至 85℃，200ball FBGA 封裝。

此外在 DDR4 記憶體模組方面也是長鑫自主研發設計，種類齊全，提供 UDIMM 與 SO-DIMM 兩種型式，容量均為單條 8GB，頻率 2666MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 至 95℃。

目前，長鑫已開始接受上述產品的技術和銷售諮詢，或許過不久有機會在市面上看到其身影。