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高通要搞大新聞!10nm工藝驍龍835首現身,同時支持最新快充4.0

編輯觀點: 按照晶片正式出貨時程來算,應該在明年底就會陸續出現採用SnapDragon 835的旗艦手機了!!

高通要搞大新聞!10nm工藝驍龍835首現身,同時支持最新快充4.0

高通公司宣布將與三星電子合作開發下一代旗艦級處理器驍龍835,據稱835將採用三星最先進的10nm製造工藝。另外,高通表示835將支持最新的快充技術Quick Charge 4.0。

由於採用全新的10納米製程工藝,高通方面表示驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能,從而提升移動設備的用戶體驗。

據悉,今年10月份,三星就率先公佈了10納米工藝的量產,與上代14納米工藝相比,10納米可以減少30%的芯片尺寸,同時提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10納米工藝製程,高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸,讓OEM廠商可以進一步優化移動設備的機身內部結構,比如增加電池或是實現更輕薄的設計等等。此外,製程工藝的提升也會改善電池續航能力。

目前驍龍835已經投入生產,預計搭載驍龍835處理器的設備將會在2017年上半年陸續出貨。

高通要搞大新聞!10nm工藝驍龍835首現身,同時支持最新快充4.0

除了驍龍835處理器之外,高通還正式發布了全新的Quick Charge 4.0快充技術。

QC 4.0將會在前幾代方案的基礎上繼續提升充電效率,官方稱充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時,充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,適配範圍更廣泛。

USB-PD是谷歌最新在安卓兼容性定義文檔(Android Compatibility Definition Document)中加入的條目,谷歌強烈建議製造商不要使用Quick Charge這樣的非標準性的USB-C充電方案,而是遵循USB-PD的技術規格。不過,隨著最新的QC4.0已經支持USB-PD,谷歌所說的“非標準充電”也就不再有效。

值得一提的是,高通還強調QC 4.0使用了智能協商最佳電壓(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法和熱管理技術。該技術的最大特點在於,通過智能管理設備的充電電量,能有效防止過熱問題,從而大大減少充電時爆炸的風險。

高通表示,所有使用Snapdragon 835的手機將獲得三級電流和四級電壓保護,以防止過熱。另外,和上一代技術相比,Quick Charge 4.0也將讓手機溫度降低高達5攝氏度。

業內人士猜測,此次高通與三星合作研發,很可能意味著三星下一代旗艦機型Galaxy S8將首發驍龍835,而更重要的是,使用了QC 4.0的S8將比Note7更安全。

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現職負責 XFastest 網站之產業動態、新聞稿發送和產品測試。