晶片電源部分採用三相供電設計,MOSFET部分採用上一下一結構設計,記憶體電源採用單相供電設計,MOSFET部分同樣採用上一下一結構設計
記憶體部分採用SAMSUNG K4G41325FC-HC28 GDDR5 四顆組成2GB容量
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晶片電源部分採用三相供電設計,MOSFET部分採用上一下一結構設計,記憶體電源採用單相供電設計,MOSFET部分同樣採用上一下一結構設計
記憶體部分採用SAMSUNG K4G41325FC-HC28 GDDR5 四顆組成2GB容量