三星發表其首款 36GB HBM3E 12H DRAM，下半年就能量產

三星電子於今日正式發表首款 12 層堆疊 HBM3E DRAM–HBM3E 12H，這是三星迄今容量最大的 HBM 產品。

三星 HBM3E 12H 的最高頻寬達到 1280GB/s，容量也達到 36GB，相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在頻寬與容量提升超過 50%。

“當前行業的人工智慧服務供應商越來越需要更高容量的 HBM，而我們的新產品 HBM3E 12H 正是為了滿足這種需求而設計的，” 三星電子產品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 表示，“這一新的儲存解決方案是我們研發多層堆疊 HBM 核心技術以及在人工智慧時代為高容量 HBM 市場提供技術領導力而努力的一部分。”

據介紹，HBM3E 12H 採用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得 12 層和 8 層堆疊產品的高度保持一致，以滿足當前 HBM 封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜（NCF）材料的厚度，並實現芯片之間的間隙最小化至 7 微米（µm），同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其 HBM3E 12H 產品的垂直密度比其 HBM3 8H 產品提高了 20% 以上。

三星的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術還通過允許在半導體之間使用不同尺寸的凸塊（bump）改善 HBM 的熱性能。在覆晶接合（chip bonding）過程中，較小凸塊用於信號傳輸區域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助於提高產品的良率。

三星表示，相比 HBM3 8H，HBM3E 12H 預計能為人工智慧訓練提升 34% 平均速度，同時服務用戶數量增加 11.5 倍。

據信三星已經開始向客戶提供 HBM3E 12H 樣品，預計今年下半年開始量產。

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