三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試， 預計今年底開始交付

根據The Japan Times報道，三星的HBM3E終於通過了英偉達的所有測試項目，這將有利於其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需的HBM3E晶片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應協議，但問題不大，預計今年底開始交船。

值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品，正在努力通過英偉達的驗證測試。有業界專業指出，SK海力士也準備了12層垂直堆疊的HBM3E產品，三星整體進度上仍要落後一些。 SK海力士一直是英偉達主要的HBM產品供應商，而美光之前已開始向英偉達供應HBM3E晶片，逐漸提升了市場佔有率。

隨著人工智慧（AI）市場的快速成長，HBM技術透過垂直堆疊多個DRAM晶片來顯著提高資料處理速度，變得越來越重要。隨著三星的HBM3E開始通過英偉達的驗證，預計至少20%到30%的產能轉移到HBM產品，這將進一步收縮普通DRAM晶片的供應，很可能會推動DDR5記憶體價格上漲。

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