三星HBM3E終於通過NVIDIA認證 戰火全面燒向HBM4
最新市場消息指稱，歷經多次挫敗後，三星12層HBM3E高寬頻記憶體晶片終於獲得算力巨頭NVIDIA的首肯。
知情人士透露，三星第五代12層HBM3E近期剛通過NVIDIA的資格測試。此一核准距離三星完成晶片開發已有18個月之久，期間的數次測試均未能滿足NVIDIA嚴苛的效能要求。
技術資料顯示，NVIDIA旗艦B300人工智慧加速器，以及AMD MI350等系統皆部署此類大容量儲存晶片。三星之前已向AMD出貨該晶片，但一直卡在NVIDIA的供應商門檻前，因此，此一認證亦有恢復三星技術信譽的重要作用。
業界人士透露，此一成就很大程度歸功於三星晶片業務負責人全永賢（Jun Young-hyun）年初拍板重新設計HBM3E的DRAM核心，解決了初期版本的熱效率問題。
但是，由於三星是SK海力士、美光後第3家獲得核准的供應商，消息人士指稱，訂單量仍會相對較少。因此，一位業界高層評論：供貨NVIDIA對於三星而言，更多是關乎信心，而非營收，獲得NVIDIA認可意味著其技術已重回正軌。
三星的歸位亦意味著HBM4的大戰全面升溫，作為第六代高頻寬記憶體，NVIDIA計劃於明（2026）年上市的下一代Vera Rubin架構上使用此種晶片。
據悉，三星計劃採用其最先進的10nm級（1c）DRAM製程，並配置由其代工廠生產的4nm邏輯晶片，其它競爭對手採用的是上一代1b製程與12nm邏輯晶片。
作為關鍵競爭指標，NVIDIA已要求供應商將HBM4的資料傳輸速度推高至每秒超過10Gb，大幅高於8Gb的業界標準。消息人士透露，三星已展示了達到11Gbps的能力，高於SK海力士的10Gbps，而美光則難以滿足此一要求。
知情人士透露，三星計畫本（9）月向NVIDIA大量出貨HBM4樣品，旨在儘早獲得認證。三星之前曾表示，正在與NVIDIA、博通、Google等主要AI晶片廠商就HBM4進行洽談，最快可於明年上半年開始大規模出貨。
如果能夠於HBM4的競爭中儘早獲得NVIDIA認證，三星有望於此一關鍵記憶體細分市場上奪回市佔佔有率。
作為三星的關鍵競爭對手，SK海力士上週表示，已完成HBM4的內部驗證與品質保證流程，並準備大規模量產。SK海力士指出，其產品相較前一代達成了頻寬倍增、能效提高40%。受此消息帶動，SK海力士上週累計大漲超過20%，本週又上漲7.46%，使得今年以來漲幅達到102%。
美光則亦於6月宣布，已向多家關鍵客戶交付12層HBM4 36GB晶片樣品。
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