三星HBM4已通過最終資格測試， 計劃下個月開始向英偉達與AMD供貨

根據TrendForce報道，三星在HBM4方面似乎取得了非常大的進展，預計在下一代DRAM競爭中將重新具備競爭力。有消息人士透露，三星的HBM4已經通過了最終資格測試，計劃下個月開始向英偉達與AMD正式發貨。這標誌著很可能是量產訂單，而非僅供測試的樣品量。

有報告顯示，三星HBM4的數據傳輸速率達到了11.7Gb/s，高於英偉達和AMD設定的10Gb/s標準，也遠遠超過了JEDEC制定的8Gb/s行業標準，成為了目前業界的最高規格。值得注意的是，三星還是在未進行任何重新設計的情況下通過了驗證，即便客戶提高了性能要求。

三星採用了1cnm（第六代10nm等級）製程製造DRAM晶片，領先競爭對手世代。同時三星結合了自家代工廠的4nm製程製造基礎晶片（Base Die），相較於SK海力士要依賴合作夥伴台積電（TSMC），有更長的生產準備時間，生產安排上更靈活，且更好地控制生產成本。

隨著Vera Rubin平台全面投產，英偉達正敦促供應商提升反應速度，預計三星將於今年6月全面供應HBM4。展望未來，三星計劃利用其從邏輯晶片設計到封裝的全整合HBM能力，強化自身在HBM4E和客製化HBM解決方案等未來產品中的領導地位。

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