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三星開發了512GB容量的DDR5記憶體模組-採用HKMG製程和最高7200Mb/s的速度

三星宣布開發出業界首個DDR5記憶體模組,該模組擁有512GB的驚人容量。記憶體模組適合針對AI/ML,超級計算,分析,網路和其他數據密集型工作負載來做使用。

三星表示512GB DDR5記憶體模組將擴展其現有產品組合,以提供有史以來最密集的容量。記憶體將採用HKMG(High-K Metal Gate)製程,三星也將其用於生產GDDR6 VRAM模組。該製程允許記憶體模組降低13%的功率,並且還減少了功率洩漏。

在規格方面,三星512GB DDR5的性能是DDR4的兩倍,速度高達7200Mb/s。該記憶體共有40個DRAM晶片,每個DRAM晶片擁有八層16Gb DRAM,這些模組堆疊在一起並採用TSV(Through-Silicon-Via)相連。

三星聲明他們目前正在推出其DDR5的不同版本,但未提供任何發布日期。我們可以預計,隨著Intel和AMD的DDR5平台開始進入市場,三星將在今年年底推出該產品,而且我們也可以預期這種容量的記憶體的價格會非常高。

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Ted_chuang

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