慧榮 SMI 展示入門款無快取 PCIe Gen5 控制器 SM2504XT 與 USB4 儲存單一晶片 SM2324

專注 NAND 快閃記憶體控制晶片研發的慧榮科技，於 COMPUTEX 2025 重磅展示兩款消費端的 SSD 控制晶片。首款為 SM2504XT PCIe Gen5 DRAM-less SSD 控制晶片，具備超低功耗，提供業界領先的每瓦效能；另一款為 SM2324 USB4 可攜式 SSD 控制晶片，為全球首款真正支援 USB4 並內建電力傳輸（Power Delivery, PD）的單晶片解決方案。

SM2504XT 為 AI 應用的消費級 SSD 提供高效能與低功耗

SM2504XT 採用台積電 TSM 先進的 6nm 製程技術，採用 PCIe Gen5 x4 介面 NVMe 2.0 規範、4 NAND 通道、三核心 Arc Cortex-R8 CPU，並且採用 DRAM-less 無快取設計。

SM2504XT 可提供高達 11.5 GB/s 的連續讀取與 11.0 GB/s 的連續寫入速度，更可達到最高 170 萬 IOPS 的隨機讀取與 200 萬 IOPS 的隨機寫入性能。

而且整體 SSD 功耗低於 5W，相較於上一代產品每瓦效能提升 11%，為 PCIe Gen5 消費級 SSD 控制晶片的能效表現樹立了新標竿。

此外，SM2504XT 支援創新的 SCA (Separate Command Address) 架構能提升 15% 連續讀取速度。

展覽現場展示機實際測試數據，SM2504XT 2TB 容量 CrystalDiskMark 循序 1M Q8T1 讀取 11400 MB/s、寫入 10522 MB/s 的傳輸效能。

SM2324 為次世代可攜式 SSD 帶來高度整合的簡化設計

SM2324 是業界首款具備原生 USB4 支援，並內建電力傳輸的單晶片可攜式 SSD 控制晶片。SM2324 支援 4CH/32CE、3D TLC 和 QLC NAND，採用雙核心 Arc Cortex R5 CPU，並支援高達 32TB 的儲存容量。

單晶片架構可大幅降低 BOM（物料清單）成本並簡化設計，協助 OEM 客戶加速開發小巧高速的可攜式儲存裝置，進而縮短產品上市時程。

單晶片設計與 TSMC 12nm 製程，讓 SM2324 有著更小的體積與大容量，相對適合做為 SSD 隨身碟之用。而且整體功耗也比競爭對手節省 40% 的電力。

此外，SM2324 可支援 iPhone RroRes 寫入需求。

展覽現場展示機實際測試數據，SM2324 2TB 容量 CrystalDiskMark 循序 1M Q8T1 讀取 4005 MB/s、寫入 3454 MB/s 的傳輸效能。符合現在 USB4 裝置的傳輸性能，此外測試平台預設將 SM2324 設定為啟用寫入快取。

沒意外今年應該能見到更划算的入門 PCIe 5.0 x4、無快取的 SSD 產品推出；而外接裝置也將有更多的 USB4 SSD 可選擇。