Posts Tagged
SK 海力士
新高挑戰！三星 和 SK海力士 NAND 快閃記憶體，2026H1 或達到 40% 至 50% 利潤
先前報導指出，三星 (Samsung) 與 SK 海力士(SK hynix) 均下調了今年 NAND
SK海力士 或繼續使用 MR-MUF 工藝 16 層堆疊 HBM4， 暫不啟用 TC NCF 技術
去年，SK 海力士推出以 AI 為導向的超高性能 DRAM 新產品 12 層 HBM4，並在全球範
