Toshiba 開發 3D QLC NAND 快閃記憶體單顆達 768 Gb 可望有 TLC 等級的 P/E 週期

即使目前 Toshiba 近況不佳，但能然是半導體產業的大廠之一，Toshiba 近日發佈首款 3D QLC NAND 快閃記憶體，採用 BiCS 架構（Pipe-shaped Bit Cost Scalable），可提供單顆 4-bit-per-cell 的記憶單元，單顆容量達 768Gb(32GB)。

而採用 64 層 3D NAND 製程技術的 QLC 原型 ，有著 768 gigabits/96 gigabytes 的晶片容量，QLC 3D NAND Flash 還能於 1.5 TB 容量中採用單個封裝及支援具有 16-die 堆疊架構。

由於 QLC 採用了 4-bit-per-cell 設計，每個單元內都有多達 16 種不同的電壓狀態。為了避免讀寫錯誤，SSD 控制器搭配 QLC NAND 時也需要使用 Toshiba 自家的 QSBC 除錯技術，並擁有多達 1000 次左右的 P/E Cycle 。

Toshiba 提到 64 層 256-gigabit (32 GB) 記憶體產品已在量產階段，新的 QLC 產品會有更高的容量提供企業級 SSD 、消費型 SSD 及儲存記憶卡等產品之中。

source:Anandtech、techpowerup.com