三星最新記憶體路線圖：HBM5效能提升2倍，zHBM效能提升8倍

在2026年台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan 2026）上，三星公佈了其更新的記憶體路線圖，重點關注HBM5和即將推出的zHBM架構，並設定了雄心勃勃的目標和預期。據三星稱HBM5的目標是性能是HBM4E的兩倍，每瓦性能提升20%，同時熱阻降低20%。此次更新包括：基礎晶片製程從HBM4和HBM4E使用的4nm製程升級到三星自主研發的2nm製程，堆疊層數也擴展到12層、16層和20層。預計2028年左右實現量產。近日三星在2026年Hot Chips大會的Advance Program上確認公司正準備出貨單腳速高達16Gbps的HBM4E記憶體。目前三星出貨的HBM4速度為11.7Gbps。

zHBM採用了一種更為激進的方法。與傳統HBM將記憶體置於加速器旁不同，zHBM將記憶體直接堆疊在處理器頂部，從而縮短資料路徑，提供更高的頻寬和效率。三星的目標是zHBM的原始效能是HBM4E的八倍，每瓦效能是HBM4E的三倍，同時熱阻降低75-90%。在2026年三星電子半導體展（FMS 2026）上，三星發表了業界首款zHBM概念模型，預計在2029年後推出這項全新架構。重新思考HBM架構似乎是整個產業的發展方向。 NVIDIA最近發布了其定制NVHBM，NVHBM將記憶體控制器移至HBM基礎晶片中，而不是像傳統HBM那樣將其置於計算芯片上。

在NAND快閃記憶體方面，三星正在開發zNAND-O，目標是在2028年進行樣品測試。憑藉這項技術，三星的目標是在保持傳統NAND快閃記憶體能效的同時，實現DRAM 10倍的位元密度和7倍的讀取頻寬。值得注意的是三星不應只關注其競爭對手SK Hynix，因為中國長江儲存龍頭YMTC剛剛宣布了一個雄心勃勃的目標：在2027年底前超越三星和SK Hynix。

在展會前的記憶體高階主管高峰會上，三星還概述了其CUBE框架：該框架涵蓋容量、利用率、頻寬和效率四個優先事項。此策略的核心是垂直記憶體擴展，以在不增加PCB尺寸的情況下提高容量；優化3D架構以降低延遲；採用垂直高速通道取代水平資料路徑；以及專注於位元能效和散熱管理。

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