中國曝光機只能造65nm製程 落後ASML艾司摩爾20年

近年，中國於半導體製造領域不斷努力追趕，但差距依舊頗大，亦為受到最嚴重限制的科技產業。

根據投資銀行高盛最新報告，其認為中國國產曝光機僅能生產65nm製程的晶片，落後國際巨頭ASML約20年之久。

高盛指出，雖然中芯國際已經可以生產7nm製程晶片，但極有可能仍是利用了ASML比較老舊的DUV深紫外光曝光機，因為中國尚不具備製造此種設備的能力，更別提ASML已經發展了兩代EUV極紫外光曝光機。

目前，ASML最新的High-NA EUV曝光機已開始交貨給Intel、台積電、三星，對於1.4nm以下的製程至關重要。

High-NA EUV曝光機重達150-180公噸，相當於兩架A320客機，體積約為一台雙層巴士大小，堪稱全球最昂貴的半導體製造設備，單一價格估計超過4億美元。

高盛指出，ASML曝光機從65nm發展至3nm及以下製程，花了長達20年的時間，投入了400億美元的研發與資本費用。因此，高盛認為，綜合考量中國目前的半導體技術水準、先進製程研發的巨大投入、全球產業鏈的複雜性、高風險的地緣因素，中國國產曝光機不可能於短期內追上西方先進水準。

2025年第二季，ASML銷售額達77億歐元，年增23.2%，毛利率達53.7%，淨利潤23億歐元，年增45.2%。

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