功耗降一半 三星：3nm GAA製程研發進度領先台積電

雖然目前來看，下一代晶片普遍依然採用5nm製程打造，但廠商亦同時耗費鉅資開發3nm製程，其中台積電即表示將會於明年量產3nm製程。

消息指稱，台積電依然選擇FinFET鰭式場效電晶體技術，三星則選擇了GAA閘極全環電晶體技術，且已成功流片，距離實現量產更近了一步。

據南韓媒體Business Korea最新報導，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung於8月25日的一場網路技術論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者台積電之前，宣布GAA技術商業化。

Jeong Eun-seung直言：我們開發中的GAA技術領先主要競爭者台積電，一旦鞏固此項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。

根據三星的說法，與5nm製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，效能提高了約30%。

三星早於2019年即公布了3nm GAA製程的PDK物理設計套件標準，當時三星預計3nm GAA製程會於2020年底試產，2021年量產，但現在顯然無法實現此目標了。

值得注意的是，有消息指稱三星3nm GAA製程如果拖到2024年量產，將會直接與台積電也將採用GAA技術的2nm製程競爭。

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