英特爾稱2030年實現萬億級晶體管晶圓設計， 新的技術研究繼續推動摩爾定律

近日，英特爾在IEDM 2022上公佈了最新的突破性研究，為未來晶圓設計奠定了基礎。其目標是將封裝技術密度提高10倍，使用僅3個原子厚的新材料來推進晶體管縮放，在未來10年內實現萬億級晶體管晶圓設計。

此次英特爾研究人員展示了用於晶體管的新型2D材料、將小晶圓和單晶圓處理器之間的性能和功耗差距縮小到幾乎難以察覺的新型3D封裝技術、以及可垂直堆疊在晶體管之上的全新內存等。

英特爾副總裁兼設計支持總經理Gary Patton表示：
“自晶體管發明以來的75年裡，推動摩爾定律的創新繼續滿足世界對計算的指數級增長需求。在IEDM 2022上，英特爾展示了突破當前和未來障礙、滿足這一永不滿足的需求以及在未來幾年保持摩爾定律活力所需的前瞻性和具體研究進展。”

英特爾表示，基於hybrid bonding的下一代3D封裝技術可以將集成密度提高10倍，同時間距縮小到3微米，使得多晶圓互聯可媲美目前的單晶圓設計；使用僅3個原子厚的2D新材料，在常溫下以低漏電流實現了雙柵結構上晶體管近乎理想的開關，同時可在單晶元上裝入更多的晶體管，進一步為高性能和可擴展的晶體管通道鋪平了道路；可垂直堆疊在晶體管之上的全新內存及堆疊鐵電電容，性能媲美傳統鐵電溝道電容，可用於在邏輯晶元上打造FeRAM。
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