世界最先進EUV曝光機開工 Intel已產3萬片晶圓 1.4nm製程就用它
ASML TWINSCAN EXE:5000 EUV為目前最先進的EUV極紫外光微影曝光機，支援High-NA亦即高數值孔徑，Intel去（2024）年搶先拿下了第一台，目前已於奧勒岡州Fab D1晶圓廠安裝部署了兩台，正在緊鑼密鼓研究測試中。
據Intel資深首席工程師Steve Carson透露，迄今為止，兩台EUV曝光機已生產了3萬片晶圓，當然不算很多，但別忘了此僅是測試與研究使用的，並非商用量產，足以證明Intel對於新款曝光機是多麼的重視。
Steve Carson強調，完成相同工作，新款曝光機可以將曝光次數從3次減少至僅需1次，處理步驟亦從40多個減少至少於10個，進而大大節省時間與成本。Intel曾透露，新款曝光機的可靠性是前一代的大約兩倍，但並未透露具體數據。
TWINSCAN EXE:5000單次曝光的解析度可以做到8nm，較前一代Low-NA曝光機的13.5nm提升了高達40%，電晶體密度亦提高了2.9倍。雖然Low-NA曝光機亦能做到8nm的解析度，但需要兩次曝光，無論時間、成本或良率皆不划算。
於全速率量產的情況下，TWINSCAN EXE:5000每小時可生產400-500片晶圓，而目前的Low-NA EUV曝光機僅200片，效率提升100-150%之多。
Intel將會使用High-NA EUV曝光機生產14A亦即1.4nm製程產品，但具體時間與產品未定，有可能於2026年左右量產，或許用於未來的Nova Lake、Razer Lake處理器。
將會於今年下半年量產的Intel 18A製程，仍使用現有的Low-NA EUV曝光機，對應產品包括：代號Panther Lake的下一代Core處理器、代號Clearwater Forest的下一代Xeon處理器，二者皆已全功能正常運作，並進行了客戶測試。
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