Micron

美光推出232層3D TLC NAND閃存 初始容量1Tb,2022年末量產

美光宣布,將推出業界首款232層的3D TLC NAND閃存。目前美光已準備在在2022年年末開始生產新款232層3D TLC NAND閃存芯片,併計劃將其用在包括固態硬盤在內的各種產品上。
1.jpg

據TomsHardware報導,美光的232層3D NAND閃存芯片採用了CuA架構,使用NAND的字符串堆疊技術,初始容量為1Tb(128GB)。CuA架構疊加新技術可以大大減小1Tb 3D TLC NAND閃存的芯片尺寸,這有助於降低成本,使得美光可以更積極地為搭載這些芯片的產品定價,或者提高產品的利潤。

美光的科技和產品執行副總裁Scott DeBoer表示,正在和第三方主控芯片的開發人員密切合作,不但提供對232層3D NAND閃存芯片的支持,而且能確保對主控芯片與閃存芯片之間的優化,這一直是美光垂直產品整合的重要組成部分,以便搭建圍繞數據中心和客戶端固態硬盤產品。
2.jpg

美光暫時還沒有公佈232層3D NAND閃存芯片的具體參數,不過似乎會比現有的3D NAND閃存性能要更好一些,以適應下一代支持PCIe 5.0固態硬盤的需求。美光還表示,新款芯片的能耗也更低一些,這可能與其註重移動領域的應用有關。

由於量產時間是在2022年年末,預計搭載232層3D NAND閃存芯片的產品將會在2023年出現。

消息來源

延伸影片閱讀:  
Previous post

Sony 正式發表全新旗艦藍牙耳罩式耳機 WH-1000XM5,全新外型設計、雙降噪晶片

Next post

Razer Blade 17 電競筆電創作測試 / RTX 3080 Ti 加速 3D 渲染、影音輸出

The Author

Martin

Martin

艱苦困難中求生存