又遇一瓶頸美光：記憶體缺貨到2027年

據摩根士丹利報告指出，美光執行長Sanjay Mehrotra於投資人會議上表示，DRAM供不應求的狀態將持續至2027年，新產能最快也要2027年底才會出貨，預計到2028年才會對市場供給產生實質幫助。

造成此一局面的原因有兩方面：一方面，美光正在積極擴產DRAM，但新建晶圓廠從建設到量產需要較長週期。

另一方面，先進製程所需的極紫外光微影（EUV）設備產能有限且交貨週期較長，半導體設備的供應瓶頸進一步拖慢了擴產步調。

HBM是加劇供需失衡的關鍵變項，美光已於2025年第三季達成HBM位元市佔率追平其整體DRAM市佔的目標。

但問題在於，過渡至HBM4 / HBM5時，消耗產能的比重可能高達4：1，即生產同等容量的HBM，所需晶圓產能是傳統DRAM的四倍，此意味著HBM將大幅擠壓通用DRAM的產能。

為應對此一結構性變化，美光近期啟動了”策略性客戶協議”（Strategic Customer Agreement），目前已簽署一份為期五年的長期合約，以確保資本支出的適當資本報酬率。

管理層強調，AI與資料中心的發展已使記憶體成為策略性重要資產，此一長期合作模式展現出與以往週期不同的營運耐久性。

又遇一瓶頸 美光：記憶體缺貨到2027年