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HBM
美光砸 1.5 兆日圓啟動廣島廠大擴建！升級 1 γ 製程搶 HBM 產能，挑戰 SK 海力士
在 AI 與高效能運算（HPC）需求的猛烈推波助瀾下，全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體供不應
AMD 第二代 Versal Premium 系列加入整合 MoP 記憶體的新產品
AMD 宣布在第二代 Versal Premium 自適應單晶片系列中加入採用 MoP 記憶體技術新
南亞科通用 DRAM 利潤超車 HBM！受 DDR4 短缺熱銷延緩 DDR5 轉型
先前年初，南亞科技（Nanya）完成規模約 NT$ 787.18 億新台幣的私募融資，資金計畫用於
新一代記憶體！SK海力士 與 SanDisk 攜手宣布，正式啟動 HBF 標準化製定
昨日（25日），SK 海力士（SK hynix） 與 SanDisk 於美國加州米爾皮塔斯總部共同舉
Intel 聯手軟銀子公司 SAIMEMORY 開發 ZAM 新型記憶體，突破 AI DRAM 困境
英特爾（Intel）宣布與軟銀（SoftBank）旗下子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同開發
240億美金！ 美光佈局新加坡 NAND 快閃記憶體擴建項目，預計2028H2開始投產
隨著全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體需求激增，各大記憶體廠商紛紛啟動擴產計畫；其中三大廠，為
SK海力士 或繼續使用 MR-MUF 工藝 16 層堆疊 HBM4， 暫不啟用 TC NCF 技術
去年，SK 海力士推出以 AI 為導向的超高性能 DRAM 新產品 12 層 HBM4，並在全球範
