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SK hynix
抗衡台積電高昂成本！SK 海力士評估將 HBM4E 基礎晶片，部分委由 Intel 代工
隨著人工智慧 AI 市場火熱，也讓高頻寬記憶體（HBM）的需求激增，南韓記憶體大廠 SK 海力士（S
CXMT最快將於9月為小米18 Fold帶來新的儲存方案
CXMT的研發進展迅速。據報導LPDDR6記憶體已不再是樣品，預計最快將於9月應用於小米18 Fol
SK Hynix公佈其下一代HBM記憶體的先進封裝技術，包括Intel EMIB技術，並著眼於未來的3D結構
SK Hynix正在利用Intel的EMIB等先進封裝技術開發其下一代HBM解決方案，該解決方案最終
蘋果奇招突圍！傳欲測試長鑫存儲 DRAM，擬作未來供應鏈談判籌碼
為了因應記憶體與儲存元件成本的急遽攀升，蘋果（Apple）上個月已針對 iPad、Mac 及智慧家居
美光砸 1.5 兆日圓啟動廣島廠大擴建！升級 1 γ 製程搶 HBM 產能，挑戰 SK 海力士
在 AI 與高效能運算（HPC）需求的猛烈推波助瀾下，全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體供不應
SK海力士加速佈局：DRAM 產能翻倍在望，年底擬量產 375 層 NAND 快閃記憶體
近期陸續有消息傳出，SK海力士 (SK hynix) 針對市場急增的供給需求，預計採用較激進的擴產方
SK海力士正式啟動 192GB SOCAMM2 記憶體模組量產：專為 Vera Rubin 平台設計
近日，SK 海力士(SK hynix) 宣布量產 192GB 容量規格的 SOCAMM2 新款產品（
321層 QLC NAND！SK海力士開始供應 PQC21 cSSD，強化 AI PC 儲存市場地位
去年 8 月，SK 海力士宣布成功開發 321 層 2Tb QLC NAND 快閃記憶體產品，並打算
新一代記憶體！SK海力士 與 SanDisk 攜手宣布，正式啟動 HBF 標準化製定
昨日（25日），SK 海力士（SK hynix） 與 SanDisk 於美國加州米爾皮塔斯總部共同舉
新高挑戰！三星 和 SK海力士 NAND 快閃記憶體，2026H1 或達到 40% 至 50% 利潤
先前報導指出，三星 (Samsung) 與 SK 海力士(SK hynix) 均下調了今年 NAND
