逆向超車 美國復活90nm工藝：性能50倍於7nm晶圓

在先進晶圓工藝上，美國廠商也落後於台積電、三星了，這兩家量產或者即將量產的7nm、5nm及3nm遙遙領先，然而美國還有更多的計劃，並不一定要在先進工藝上超越它們，甚至準備逆行，復活90nm工藝，製造出來的晶圓性能是7nm晶圓的50倍。

美國晶圓廠 SkyWater 日前宣佈獲得美國國防部下屬的 DARPA 的進一步資助，後者將給予2700萬美元以推動開發90nm戰略抗輻射 (RH90) FDSOI 技術平臺，總的投資計劃高達1.7億美元。

相比台積電、三星、Intel等半導體公司，SkyWater 不僅規模小，而且資歷也淺，2017年成立，晶圓廠主要來源於賽普拉斯半導體公司的晶圓製造部門，工藝並不先進，主要生產130nm及90nm，部分先進晶圓才到65nm級別。

然而他們卻得到了美國DARPA的青睞，成立沒多久就開始參與後者的ERI電子復興計劃，該計劃在5年內投資15億美元，推動美國半導體行業發展。

ERI計劃中，SkyWater並沒有追求技術更強但更昂貴的先進工藝，而是用90nm工藝製造3D SoC晶圓，通過集成電阻RAM、碳納米管等材料實現更強的性能，性能可達7nm晶圓的50倍。

當然，這些技術現在還沒有實現完全突破，畢竟這樣的做法是之前沒有的，一旦成功了，可能是改變半導體行業規則的新技術。

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