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容量繼續推升,單一模組 128GB 今年 Q3 陸續問世

隨著 TSV 工藝的推出,顆粒容量開始推向另一個新世界,從單一 16Gb 翻一番至 32Gb,單一模組成功達陣 128GB。

SK hynix 準備完成,Q3 進入單模組 128GB
現今記憶體僅剩下少數幾家,分別為 SK hynix、Samsung 與 Micron 瓜分著全球市場。不過雖然市場競爭對手少,科技大頭間的角逐仍然相當激烈,其中就以新開戰局 DDR4 最為明顯,除了搶著推出高頻模組之外,對於容量推升方面,更是目前角逐競爭的第一前哨站。

容量翻番速度異常高速,單模組 32GB 的情況其實還在不久之前,不過 SK hynix 已經準備在今年 Q3 推出 64GB(w/ TSV),更為異常的是顆粒還沒摸熱時,128GB 就準備在同時間登場搶市。不過 Sk Hynix 推出的主要為 LRDIMM,與 Samsung 準備推出的 RDIMM 有著本質上的大差異。

Samsung 緊追在後,導入 TSV 技術
另一記憶體大廠 Samsung 則是一反常態,落後 SK hynix 約一季以上的時間差。不過這部份延宕主要原因為 TSV 技術導入,才造成這種失策。那麼 TSV 是什麼呢?最廣為人知的莫過於 AMD Radeon R9 Fury 上所配的 HBM 記憶體,不僅小巧之外,頻寬遠超 GDDR5 成為 AMD 手中的逆轉王牌。

單一顆粒容量提昇的方式相當多元,如早期的堆疊封裝,透過顆粒層層架高與線路拉上去連結,已經被我們使用了許多年。不過隨著顆粒高速化,與製程微縮,這種古老的權宜之計已經不堪使用。因此新的堆疊方式因應而生,TSV(Through Silicon Via)矽穿孔技術為近年來持續向上發展的方向。

HBM 不過是 TSV 正式在眾人目光中閃爍的其中一個契機,早在 HBM 之前,TSV 即已經應用在我們所熟知的記憶體模組中,首個接納 TSV 技術的記憶體類型就是 DDR4。兩者搭配下來除了帶給 DDR3 望塵莫及的容量領先之外,透過 TSV 目前最高可達 8 層堆疊的方式,提供比 DDR3 兩倍以上的容量與更高速的電子訊號。

不過目前 TSV 也不是無往不利,如堆疊的層數,就還處於低層數階段。正式進入大量生產階段的僅有 4Hi 架構,不單數量少之外,容量密度僅為少少的 16Gb,換算單層僅 4Gb,並無法有效拉開舊工藝間差距。

不過在 Samsung 的努力之下,今年底將會推出單一模組 128GB 的 DDR4 RDIMM,單一密度從原先的 16Gb 提升為 32Gb。隨著開發時程越來越短,不難想像未來 8Hi 堆疊技術較成熟後,容量密度將走向另一個巨量層次中。

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