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除了拍照、超音波指紋之外,三星Galaxy S10可能首發LPDDR5、UFS 3.0

三星依然是全球智慧手機市場的老大,只是在智慧手機技術上三星這幾代產品都在擠牙膏,Galaxy大改要到明年的Galaxy S10手機上了,之前傳聞它會用上超音波指紋識及全新大底雙攝技術,而在硬體設定上,Galaxy S10也有可能首發LPDDR5記憶體及UFS 3.0快閃記憶體。

明年的Galaxy S10手機除了設計、拍照等方面的改進之外,硬體設定顯然也會再上一個臺階,用上高通驍龍855、三星9820處理器是順理成章的升級,而在記憶體、快閃記憶體上還有可能來個大招,首發LPDDR5記憶體及UFS 3.0快閃記憶體。

OC3D網站爆料表示三星今年夏天就會開始LPDDR5記憶體的生產,並與UFS 3.0快閃記憶體一起提供,這兩種儲存晶片的速度都要高於前代。

在這個問題上,下半年量產UFS 3.0快閃記憶體問題不大,UFS 3.0標準今年初已經發佈,相比現在的UFS 2.0/2.1,UFS 3.0採用的頻寬規範是HS-Gear4(G4),再次達成頻寬翻倍,也就是單通道雙向11.6Gpps,因此雙通道雙向頻寬的理論最高值就是23.2Gbps,換算後,速度在1.5-3GB/s左右,這速度跟M.2 SSD硬碟有得一拼了。

至於LPDDR5記憶體,這個標準跟DDR5息息相關但又保持一定的獨立,DDR5最終規範還沒發佈,但是DDR5產品已經研發多年了,預計今年底就會有相關產品出現,LPDDR5則是DDR5的低功耗版,明年上市倒也可能。

不論LPDDR5還是UFS 3.0,明年的智慧手機記憶體、快閃記憶體容量及性能再次提升是跑不了的,只希望Galaxy S10別再是4+64GB起步了。

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