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三星計劃首發 3nm GAA 製程晶片,取代 FinFET、性能約提高 30%

據韓國媒體報導,三星電子的領導人李在鎔 (Lee Jae-yong) 今日討論了三星將計畫首發 3nm GAA 製程晶片的戰略計劃。

該報導稱,李在鎔今日參觀了三星電子位於京畿道華城 (Hwaseong) 的半導體研發中心。這也是李在鎔在 2020 年的首個官方行程,期間他聽取三星電子 3nm 製程技術報告,並與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。

據三星電子稱,李在鎔討論了三星計劃採用正在研發中的最新 3nm GAA 製程技術來製造尖端晶片的計劃。GAA 被認為是當前 FinFET 技術的升級版,能確保晶片製造商進一步縮小體積。

去年 4 月三星電子完成了採用 EUV 的 5nm FinFET 製程技術的研發。如今該公司正在研究下一代製程技術 (即 3nm GAA)。三星電子表示,與 5nm 製程相比,3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%,性能提高了約 30%。

此舉也呼應三星先前所說的,將全力進攻非 DRAM 與 NAND Flash 晶片的半導體市場,在去年,三星宣布了一項折合美金高達 1118.5 億美元的投資計畫,目標是要讓三星能夠成為全球最大的半導體晶片製造商。

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