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SK hynix 旗下的 HBM2E 產品即將推出,性能與 HBM2 相比可望翻倍!

SK hynix (SK 海力士)今天宣布已開發出具有業界最高帶寬的 HBM2E DRAM 產品,該產品與之前的 HBM2 相比,新款 HBM2E 大約提升 50% 的帶寬和 100% 的容量。SK hynix 尚未公佈更多有關 HBM2E 記憶體顆粒的資訊。

 

SK hynix 的 HBM2E 記憶體每個針腳傳輸速率為 3.6 Gbps,搭配 1024-bit 的位寬,支持提供超過 460GB/s 的超高帶寬,可以說是無可比擬。同時,通過利用 TSV(矽通孔)技術,最多可垂直堆疊 8 個 16 千兆位芯片,形成 16GB 數據容量的單個密集封裝。

SK hynix 的 HBM2E 是第四個工業時代的最佳記憶體解決方案,支持需要最高記憶體性能的高階顯示卡、超級計算機、AI 深度學習和 AI 人工智能系統等各種尖端領域。與採用模塊封裝形式並安裝在系統板上的傳統 DRAM 產品不同,HBM 晶片可以與顯示卡核心和邏輯晶片等處理器緊密互連,間距僅為幾微米,可實現更快的數據傳輸。

AMD 目前最強的 Radeon VII 顯卡用的就是 16GB HBM2 顯存,擁有 1TB/s 帶寬的帶寬,可以給一些專業應用提供了便利性,特別是高解析度的 4K、8K 創作、渲染等工作;而 NVIDIA CEO 黃仁勳在採訪中表示 HBM2 顯存太貴,相比之下他還是更喜歡 GDDR6 顯存。在 NVIDIA 的顯卡中,面向專業市場的 Tesla V100 等高價顯卡也使用了 32GB HBM2 顯存,消費級的有 Titan V 顯卡,使用了 12GB HBM2 顯存,不過現在的圖靈核心使用的就是 GDDR6 顯存了。目前,SK hynix 尚未透露 HBM2E 記憶體可以何時量產出貨。

另外三星在三月份也發布了自家的 HBM2E 記憶體,將傳輸速率從 2.4 Gbps 提升到 3.2 Gbps,提升幅度達到 33%。同時每個記憶體顆粒的容量提升了兩倍,達到 16GB。不過同樣的,目前也沒有消息透漏工作電壓、量產時間等更細節的相關消息。

 

Source:expreview.com

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