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SK Hynix

SK Hynix 128 層 4D NAND 出貨,UFS 3.1 規格、手機能上 1TB 容量
今年 6 月份時,SK Hynix 全球首發 128 層堆棧的 4D NAND,雖然名為 4D NA

SK hynix 旗下的 HBM2E 產品即將推出,性能與 HBM2 相比可望翻倍!
SK hynix (SK 海力士)今天宣布已開發出具有業界最高帶寬的 HBM2E DRAM 產品,該
SK海力士早就在6月份就宣佈正式量產128層堆疊的4D NAND快閃記憶體,成為全球首家量產128層
今年 6 月份時,SK Hynix 全球首發 128 層堆棧的 4D NAND,雖然名為 4D NA
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儘管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最終標準的開發,但晶片大廠之間早就開始了暗自較勁。在 San
內存去年Q4季度才降價10%左右,內存芯片廠商就受不了了,營收盈利大跌,可是跟NAND閃存相比,內存
可能不少PC用戶連DDR4都還沒配置上吧? 據外媒消息第二大DRAM晶片廠商SK Hynix已著