SK hynix 旗下的 HBM2E 產品即將推出，性能與 HBM2 相比可望翻倍！

SK hynix (SK 海力士)今天宣布已開發出具有業界最高帶寬的 HBM2E DRAM 產品，該產品與之前的 HBM2 相比，新款 HBM2E 大約提升 50％ 的帶寬和 100％ 的容量。SK hynix 尚未公佈更多有關 HBM2E 記憶體顆粒的資訊。

SK hynix 的 HBM2E 記憶體每個針腳傳輸速率為 3.6 Gbps，搭配 1024-bit 的位寬，支持提供超過 460GB/s 的超高帶寬，可以說是無可比擬。同時，通過利用 TSV（矽通孔）技術，最多可垂直堆疊 8 個 16 千兆位芯片，形成 16GB 數據容量的單個密集封裝。

SK hynix 的 HBM2E 是第四個工業時代的最佳記憶體解決方案，支持需要最高記憶體性能的高階顯示卡、超級計算機、AI 深度學習和 AI 人工智能系統等各種尖端領域。與採用模塊封裝形式並安裝在系統板上的傳統 DRAM 產品不同，HBM 晶片可以與顯示卡核心和邏輯晶片等處理器緊密互連，間距僅為幾微米，可實現更快的數據傳輸。

AMD 目前最強的 Radeon VII 顯卡用的就是 16GB HBM2 顯存，擁有 1TB/s 帶寬的帶寬，可以給一些專業應用提供了便利性，特別是高解析度的 4K、8K 創作、渲染等工作；而 NVIDIA CEO 黃仁勳在採訪中表示 HBM2 顯存太貴，相比之下他還是更喜歡 GDDR6 顯存。在 NVIDIA 的顯卡中，面向專業市場的 Tesla V100 等高價顯卡也使用了 32GB HBM2 顯存，消費級的有 Titan V 顯卡，使用了 12GB HBM2 顯存，不過現在的圖靈核心使用的就是 GDDR6 顯存了。目前，SK hynix 尚未透露 HBM2E 記憶體可以何時量產出貨。

另外三星在三月份也發布了自家的 HBM2E 記憶體，將傳輸速率從 2.4 Gbps 提升到 3.2 Gbps，提升幅度達到 33%。同時每個記憶體顆粒的容量提升了兩倍，達到 16GB。不過同樣的，目前也沒有消息透漏工作電壓、量產時間等更細節的相關消息。

Source：expreview.com