SK Hynix大規模量產HBM2E：輕鬆單顆16GB、頻寬460GB/s

SK Hynix今天宣布已經開始大規模批量生產新一代HBM2E DRAM，距離去年8月首次提出這一規格只有10個月的時間。

SK Hynix的HBM2E具備大容量、高速度、低功耗的特點，利用TSV技術垂直堆疊八顆16Gb(2GB)晶片，從而做到單顆容量16GB，是上代HBM2的兩倍，理論上更是可以做到十二顆堆疊、單顆單顆容量24GB。HBM2每個堆棧的數據率高達3.6Gbps (可理解為等效頻率3.6GHz)，搭配1024-bit I/O，頻寬可以輕鬆做到460GB/s，電壓則維持HBM2 1.2V的水平。

如果使用四顆組合，總容量就是64GB，總有4096-bit I/O，總頻寬則超過1.8TB/s。這樣的規格是GDDR6望塵莫及的。SK Hynix表示HBM2E可廣泛應用於工業4.0、高階GPU顯示卡、高性能超級電腦、機器學習、AI人工智慧等各種尖端領域。

在歷史上SK Hynix也是第一個搞定了HBM，並由AMD顯示卡首發，最初搭載於R9 390X。三星也在積極準備HBM2E，Micron則模糊地表示會在年底之前推出新一代HBM。

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