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SK海力士加速佈局:DRAM 產能翻倍在望,年底擬量產 375 層 NAND 快閃記憶體
近期陸續有消息傳出,SK海力士 (SK hynix) 針對市場急增的供給需求,預計採用較激進的擴產方
新一代記憶體!SK海力士 與 SanDisk 攜手宣布,正式啟動 HBF 標準化製定
昨日(25日),SK 海力士(SK hynix) 與 SanDisk 於美國加州米爾皮塔斯總部共同舉
240億美金! 美光佈局新加坡 NAND 快閃記憶體擴建項目,預計2028H2開始投產
隨著全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體需求激增,各大記憶體廠商紛紛啟動擴產計畫;其中三大廠,為
利潤最佳化! 三星和SK海力士可能減產 NAND 快閃記憶體,產能轉戰高收益 DRAM
先前報導指出,在 NAND 快閃記憶體需求激增的趨勢下,三星(Samsung)、SK 海力士(SK