SK Hynix

SK Hynix今天宣布已經開始大規模批量生產新一代HBM2E DRAM，距離去年8月首次提出這一規

ASML的EUV光刻機已經成為7nm以下製程的關鍵了，三星、台積電、Intel都在購買單價高達10億

3月9日消息據國外媒體報導，韓國半導體龍頭SK hynix日前表示，該公司正在加強手機領域的CMOS

今日，集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)公佈了全球DRAM廠自有品牌記憶體營收最新排

SK海力士早就在6月份就宣佈正式量產128層堆疊的4D NAND快閃記憶體，成為全球首家量產128層

今年 6 月份時，SK Hynix 全球首發 128 層堆棧的 4D NAND，雖然名為 4D NA

SK hynix (SK 海力士)今天宣布已開發出具有業界最高帶寬的 HBM2E DRAM 產品，該

日本採取對韓出口限制措施後，韓國國內正積極尋求日本氟化氫替代方案。三星電子與SK海力士等半導體公司緊

記憶體價格經過一段時間終於回到了相對較低的水準，隨著第二季度市場需求的增加DRAM的價格跌幅沒那麼厲

2019年的全球半導體市場—尤其是NAND快閃記憶體不景氣，價格從2018年初開始就持續下跌，而到了