Toshiba

東芝發布UFS 3.0閃存,96層TLC閃存,速度要追NVMe硬盤

今年的智能手機除了5G,AI這兩個大熱點之外,在性能上還會再進一步,內存會升級到LPDDR5標準,閃存也會有UFS 3.0新一代標準,該規範去年初就制定完成了,此前爆料稱三星的Galaxy S10手機就會用上自家的UFS 3.0閃存。至於其他廠商,那就要依靠東芝等NAND廠商了,日前東芝就首發了UFS 3.0閃存,容量128/256 / 512GB,使用的是自家96層堆棧的3D TLC閃存,具體性能沒公版,只說比前代讀寫提升70%,80%,但這個性能追上一些NVMe硬盤還是可以的。
500.jpg

去年這個時候,JEDEC組織正式發布UFS 3.0標準(JESD220D),一道被發布的還有更新後的接口標準(UFSHCI):JESD223D,以及適用於拓展存儲卡標準的UFS卡擴展1.1(JESD220-2A。過去UFS 2.0採用的HS-Gear2(G2)規範是單通道單向理論帶寬1.45Gbps,雙通道雙向理論帶寬就是5.8Gabps;隨後UFS 2.1採用的HS-Gear3(G3)理論帶寬翻倍達到11.6Gbps,而今天剛剛發布的UFS 3.0標准採用的帶寬規範是HS-Gear4(G4),再次實現帶寬翻倍,也就是單通道雙向11.6Gpps,因此雙通道雙向帶寬的理論最高值就是23.2Gbps,大約是2.9GB /秒。

東芝的UFS 3.0閃存採用了自家BiCS 4技術的96層堆棧3D TLC閃存,標準11.5x13mm封裝,容量128GB,256GB及512GB,不過後兩種容量暫時還沒出樣,現在只有128GB版出樣給客戶了。

性能方面,東芝沒有透露具體的指標,只說比70%,80%,找了下東芝官網,東芝此前發布的了64層堆棧的UFS 2.1閃存的讀取速度可達900MB / s,寫入為180MB / s,按照這個數據來看UFS 3.0的讀取速度約為1.5GB / s,寫入速度324MB / s,這個速度跟一些低端NVMe硬盤的性能有得一拼了,畢竟手機UFS閃存在DDR緩存方面會吃虧一些,不然寫入速度也可以更好看一些。

至於哪款手機能夠首發UFS 3.0閃存,MWC 2019展會上就能見分曉了。

消息來源

喜不喜歡這篇文章?留言給我們

Previous post

ZOTAC 推出全新 MAGNUS 迷你電腦 小機身成就大創意

Next post

宮崎英高:不反對重製《惡魔之魂》 但個人不感興趣

The Author

Martin

Martin

艱苦困難中求生存