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台積電「積極擴張」:擴大 2nm 未來產能

本週,圍繞台積電的 2nm 先進製程傳來利多消息。

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其 2nm GAA 工藝研發進度提前,目前已經結束了路徑探索。供應鏈預計台積電 2023 年下半年可望進入風險性試產,2024 年正式量產。

GAA即環繞閘極技術(Gate-All-Around;GAA),是 FinFET(鰭式場效應電晶體)的取代。FinFET 由華人科學家胡正明團隊研製,首發於 45nm,目前已經推進到 5nm。

不過在 5nm 或者 4nm 之後,台積電和三星出現了些許分歧,三星將在 3nm 就開始應用 GAA 電晶體,台積電則是 2nm。

台積電董事長劉德音(Mark Liu)最新表態稱,位於台中的工廠有望擴充,以為 2nm 增加更多產能支援。

儘管台積電在今年二季度拿到了全球晶圓代工營收的一半,可三星的追趕步伐並未停歇。今年的 RTX 30 系列顯卡 GPU 核心、部分驍龍 SoC 等均選擇三星代工。

 

 

消息/圖片來源:快科技
原標題:台積電“跑馬圈地”:擴大2nm未來產能

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Freddie

Freddie

擔任3C技術編輯已有數年。3C業界水深,繼續努力。