ASML不讓新一代EUV光刻機跳票 找到日本巨頭技術救援

日前傳出ASML新一代光刻機EXE:5000會跳票至2025年之後的消息，但似乎其已經找到幫手助拳了。

日本最大半導體成膜、蝕刻設備公司東京電子（東京威力科創Tokyo Electron）宣布，將於鍍膜/顯影技術上與ASML合作，以聯合推進其下一代EUV光刻機的研發製造，確保2023年投入市場。據悉，參與該EUV光刻機研發的另有IMEC，即位於比利時的校際微電子中心。

東京電子表示，自旋金屬抗蝕劑已顯示出高解析度和高蝕刻電阻，並有望使圖案更加精細。然而，含有金屬的抗蝕劑亦需要複雜的圖案尺寸控制及對晶片背面/斜面金屬汙染的較好控制。為了應對這些挑戰，塗層/開發人員正在聯合高NA實驗室安裝先進的製程模組，能夠處理含金屬的抗蝕劑。

有觀點將目前ASML已經出貨的NXE:3400B/3400C乃至年底的3600D稱作第一代EUV光刻機，依據是物鏡的NA（數值孔徑）為0.33，所謂第二代即是NA提升至0.55。

0.55NA比0.33NA有著太多優勢，包括更高的對比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產效率等。EXE:5000之後還有EXE:5200，它們將是2nm、1nm的主要依託。

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